数字隔离器的高击穿电压特性可增强半导体器件的安全性与可靠性，同时延长器件的使用寿命并提升抗噪能力。新型多层厚金属间电介质 (Thick IMD) 工艺支持堆叠最多三层IMD，每层最大厚度达6微米，从而在金属-绝缘体-金属(MIM)结构中，总厚度最高可达到18微

sk 电介质 imd 击穿电压 keyfoundry 2025-09-23 08:16  5